拓荆科技的主营业务 SH688072.科创版 可融资 沪股通 上市未满6年

04月22日: 【利空】 限售解禁

价: 188.51 (+0.73%)
估值日期: 今天
PE/扣非PE: 88.24/146.60
市净率PB: 8.70
股息率: 0.09%
ROE: 10.52%
A股市值: 355亿
行业: 半导体及元件
净利润同比: +14.12%.23Q3
北上持股: 1.08% 5日+0.0%
今年来涨: -18.50%
上市日期: 2022.04

公司名称:拓荆科技股份有限公司 所属省份:辽宁省 所有制性质:民营企业 成立日期:2010.04 员工人数:830
主要业务:一般项目:技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广,电子专用设备制造,电子专用设备销售,半导体器件专用设备制造,半导体器件专用设备销售,机械零件、零部件加工,机械零件、零部件销售,销售代理,非居住房地产租赁(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)
主营业务 - 历史详情
主营业务
查看历年营收、净利润
经营概述 - 2023中报
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)公司所属行业情况
1.半导体设备行业情况
集成电路行业是支撑经济发展、社会进步、国防安全的重要力量,而高端半导体设备是驱动这一产业发展的基石。在数字经济成为经济发展新动力的趋势下,半导体芯片技术持续迭代发展,并逐步向精密化、微小化发展,这对制造工艺技术不断提出挑战,因此,作为支撑半导体芯片制造工艺发展的高端半导体设备的重要地位日益凸显,并拥有巨大的市场空间。
由于半导体行业技术迭代、下游应用创新驱动、终端应用的供需关系等因素叠加宏观经济波动,半导体行业的发展呈现周期性波动的趋势。从近几年的行业发展趋势来看,2020年以来,受到全球消费电子、汽车电子等下游供应短缺刺激,全球半导体市场需求爆发,行业景气度上升。2022年,受到宏观经济形势和下游需求转换的影响,半导体行业景气度出现了转折,全球半导体制造设备销售额较上年同期实现小幅增长,达到1074亿美元,根据SEMI于2023年7月发布的数据显示,预计2023年全球半导体制造设备的销售额将减少至874亿美元,但经过2023年的半导体库存调整及高性能计算、汽车领域对半导体芯片需求增强的推动,预计2024年全球半导体制造设备的销售额将再次恢复增长,达到1000亿美元。
根据SEMI统计,2022年中国大陆半导体设备销售额为283亿美元,连续第三年成为全球最大半导体设备市场。在当前全球半导体行业销售放缓的情况下,预计2023年中国大陆半导体设备销售额将降至225亿美元,而2024年将恢复增长,预期增长至233亿美元。
尽管半导体行业呈现短期的景气度波动,但随着数字化、自动化、智能化需求的浪潮迭起,以人工智能、云计算、智能家居、物联网、智能驾驶等为代表的新兴产业的创新发展,将成为半导体行业需求增长的驱动力。同时,伴随着我国对半导体产业不断的政策扶持、加大投入力度,加速了国内半导体设备产业的发展和布局,国内设备厂商迎来了巨大的成长机遇。
2.公司所在的薄膜沉积设备行业情况
(1)薄膜沉积设备市场规模
在半导体设备中,应用于集成电路领域的设备通常可分为前道工艺设备(晶圆制造)和后道工艺设备(封装测试)两大类,其中,晶圆制造设备的市场规模约占半导体设备市场规模的88%。在晶圆制造设备中,薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备,决定了芯片制造工艺的先进程度。而薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层,在芯片制造过程中应用广泛,因此,产生了巨大的薄膜沉积设备市场,其市场规模约占晶圆制造设备市场规模的22%。2022年全球薄膜沉积设备市场规模达229亿美元,结合中国大陆半导体制造设备销售额占全球半导体制造设备的销售额约为26%的比例测算,2022年中国大陆薄膜沉积设备市场规模约为60亿美元,具有广阔的市场空间。
(2)公司所聚焦的薄膜沉积设备细分领域市场情况
薄膜沉积设备主要包括CVD(化学气相沉积)设备和PVD(物理气相沉积)设备。公司主要聚焦在CVD设备细分领域内的PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、ALD(原子层沉积)、SACVD(次常压化学气相沉积)及HDPCVD(高密度等离子体化学气相沉积)等薄膜设备。
虽然PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD设备均属于CVD细分领域产品,但不同的设备技术原理不同,所沉积的薄膜种类和性能不同,适用于芯片内不同的应用工序,在逻辑、存储等芯片制造过程中应用较为广泛,主要应用如图示:
在DRAM存储芯片中的应用图示
在2021年全球各类薄膜沉积设备市场份额中,PECVD是薄膜设备中占比最高的设备类型,占整体薄膜沉积设备市场的33%,ALD设备占比约为11%,SACVD和HDPCVD占比约小于6%。
(3)薄膜沉积设备主要技术门槛
薄膜沉积设备作为集成电路晶圆制造的核心设备,其技术的发展支撑了集成电路制造工艺的发展。在薄膜沉积设备研制过程中,其反应腔设计、腔体内关键件设计、气路设计、温度控制及射频控制需要在理论知识深刻理解的基础上,结合整机设计和薄膜工艺的配合与集成,专业综合性强,技术密集且壁垒较高。
由于薄膜是芯片结构的功能材料层,在芯片完成制造、封测等工序后一般会留存在芯片中,薄膜的技术参数直接影响芯片性能,因此,对薄膜材料性能的要求极其严格。生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标,还需要在完成晶圆生产流程及芯片封装后,对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试,以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此,薄膜沉积设备所需要的验证时间较长。由此可见,薄膜设备从研制到产业化应用过程均具有极高的技术难度。
此外,集成电路制造不同技术路线及不同工序所需要的薄膜材料种类不同,薄膜沉积设备需要针对不同材料本身的物理、化学性质,进行工艺开发,以实现不同材料的沉积功能。随着芯片内部立体结构日趋复杂,所需要的薄膜层数越来越多,对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求,因此,技术门槛也在日益提升。
(4)薄膜沉积设备发展趋势
①薄膜设备市场需求稳步增长
纵观半导体行业的发展历史,虽然行业呈现明显的周期性波动,但整体增长趋势并未发生变化。在人工智能、大数据、智能驾驶、新能源等新兴领域的快速发展拉动下,晶圆厂将持续进行资本开支,扩充产能,这将带动半导体设备的市场需求量的增长。薄膜沉积设备作为集成电路晶圆制造的核心设备,具有较大的市场需求和增长空间。
根据SEMI预测信息,在2022年至2026年期间,下游芯片制造厂商将持续扩充产能,以满足需求增长,2022年全球半导体制造厂商300mm晶圆厂产能每月约为700万片,预计2026年将增加至每月960万片的历史新高。中国大陆也将持续推动300mm前端晶圆厂产能增长,将全球份额从2022年的22%增加到2026年的25%,达到每月240万片晶圆。晶圆厂的产能扩建将引领半导体设备需求的持续增长。
②芯片制造工艺进步及结构复杂化提高薄膜设备需求
在90nmCMOS芯片工艺中,大约需要40道薄膜沉积工序。在FinFET工艺产线,大约需要超过100道薄膜沉积工序,涉及的薄膜材料由6种增加到近20种,对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级,进而拉动晶圆厂对薄膜沉积设备需求量的增加。
不同工艺节点薄膜沉积工序对比
在FLASH存储芯片领域,随着主流制造工艺已由2DNAND发展为3DNAND结构,结构的复杂化导致对于薄膜沉积设备的需求量逐步增加。而随着3DNANDFLASH芯片的堆叠层数不断增高,从32/64层逐步向更多层及更先进工艺发展,对于薄膜沉积设备的需求提升的趋势亦将延续。
2DNAND与3DNAND结构简图
在芯片工艺技术持续进步的趋势下,当难以通过光刻直接形成先进工艺的情况下,可以结合薄膜沉积设备(主要为ALD设备)与刻蚀设备相配合,采用自对准多重成像技术,实现更小尺寸的工艺,这将进一步促进ALD设备及相关设备的重要性及需求量的提升。
③先进制程对薄膜沉积设备提出更高要求
在晶圆制造过程中,薄膜起到产生导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、临时阻挡刻蚀等重要作用。随着芯片制造工艺不断走向精密化,对薄膜工艺性能提出了更高的技术要求,包括薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标,市场对于高性能薄膜设备的依赖逐渐增加,这也将拉动半导体高端薄膜设备的需求。
3.公司所在的三维集成领域设备行业情况
(1)三维集成领域设备行业
随着“后摩尔时代”的来临,芯片制程持续缩小并接近物理极限,不能再只依赖缩短工艺极限实现最优的芯片性能和复杂的芯片结构,而是转向通过新的芯片设计架构和芯片堆叠的方式来实现,因此,产生了新的设备需求,即应用于三维集成领域的半导体设备。
应用于三维集成领域的设备是三维集成芯片、Chiplet等芯片先进架构设计的技术基础。以混合键合设备为代表的三维集成领域专用设备尚处于产品导入期,业界目前已经在存储器、图像传感器和逻辑芯片领域初步实现产业化。随着半导体芯片技术的快速发展,三维集成领域将进入成长期,混合键合设备作为晶圆级三维集成应用中最前沿的核心设备之一,其细分市场届时也将迎来快速增长。
(2)公司所聚焦的混合键合设备情况
混合键合设备作为可以提供键合面最小为1μm间距的金属导线连接点以实现芯片或晶圆的堆叠,使芯片间的通信速度提升至业界先进水平,并能提高整体芯片性能。公司面向新的技术趋势和市场需求,积极进军高端半导体设备的前沿技术领域,研制了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合(HybridBonding)设备产品系列,同时,该设备还能兼容熔融键合(FusionBonding)。
键合设备主要应用原理如图示:
晶圆键合设备应用示意图
(3)混合键合设备主要技术门槛
键合设备提供的关键指标是键合面的质量,包括键合精度、键合强度以及界面空隙,其中键合精度和对准精度影响芯片性能,键合强度和界面空隙影响芯片整体良率。键合设备的研制,对于高精密对准系统、微纳精密机械控制、图像处理和分析、套刻量测等技术需要极其深刻的理解和产业化实践经验,技术壁垒较高。同时,随着键合工艺的发展,对键合设备的对准精度、键合精度等性能指标不断提出更高的要求。
(4)混合键合设备发展趋势
随着半导体工艺技术的发展,芯片架构由2D、2.5D逐步向3D创新发展,支撑芯片架构发展的键合技术不断更新迭代,而混合键合技术具备实现更高带宽、更高功率、更高通信速度等优势特点,成为当前业界优选的解决方案。随着“后摩尔时代”的来临,以三维集成为代表的先进芯片架构成为半导体芯片技术发展的重要方向和路径,将直接拉动混合键合设备的市场需求量,因此,键合设备具有较大的潜在市场需求和未来增长空间。
(二)主营业务情况
1、主要业务情况
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自公司成立以来,始终坚持自主研发,目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列,广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。此外,公司推出了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列。
2、主要产品情况
报告期内,公司持续完善PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD等薄膜系列产品性能,拓展薄膜工艺的应用领域,保持产品核心竞争力,进一步提升量产薄膜设备系列产品的市场应用规模和覆盖面,同时,积极推进混合键合设备产品的产业化验证。
公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及混合键合系列产品具体情况如下:
(1)PECVD系列产品
①PECVD产品
PECVD设备是芯片制造的核心设备之一,也是公司的核心产品,其主要功能是将硅片控制到预定温度后,使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体,通入适当的化学气体,在等离子体的激活下,经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备,PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜,不破坏已有薄膜和已形成的底层电路,实现更快的薄膜沉积速度,是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。
公司自成立就开始研制PECVD设备,在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验,并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备,主要包括PECVD产品和UVCure产品。
②UVCure产品
UVCure设备主要用于薄膜紫外线固化处理,该工序通过对薄膜进行后处理,有效改善薄膜性能,提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。
(2)ALD系列产品
ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面,形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制,在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中,ALD是必不可少的核心设备之一。
公司ALD产品系列包括PE-ALD(等离子体增强原子层沉积)产品和Thermal-ALD(热处理原子层沉积)产品。
①PE-ALD产品
PE-ALD是利用等离子体增强反应活性,提高反应速率,具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点,适用于沉积硅基介质薄膜材料。
②Thermal-ALD产品
Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面,再进行化学反应,生成薄膜,具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点,适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。
(3)SACVD系列产品
SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺,是集成电路制造的重要设备之一。在集成电路结构中,沟槽孔洞的深宽比越来越大,SACVD反应腔环境具有特有的高温(400℃-550℃)、高压(30-600Torr)环境,具有快速优越的填孔能力,同时,SACVD沉积过程没有等离子体,可以减少对器件的损伤。
(4)HDPCVD系列产品
HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺,是集成电路制造的重要设备之一。HDPCVD设备可以同时进行薄膜沉积和溅射,所沉积的薄膜致密度更高,杂质含量更低。
(5)混合键合系列产品
混合键合设备是晶圆级三维集成应用中最前沿的核心设备之一,可以在常温下通过永久键合工艺技术实现芯片或晶圆的堆叠,提升芯片间的通信速度及整体芯片性能,相比于传统工艺还有有效缩短芯片开发周期、有效保证键合面气密性等特点。
公司混合键合系列产品包括晶圆对晶圆键合(WafertoWaferBonding)产品和芯片对晶圆键合表面预处理(DietoWaferBondingPreparationandActivation)产品。
①晶圆对晶圆键合产品
晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的12英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合工艺。
②芯片对晶圆键合表面预处理产品
芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序,芯片对晶圆键合表面预处理产品可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序。
报告期内,公司主营业务未发生重大变化。
(三)主要经营模式
(1)盈利模式
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售半导体专用设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内,公司主营业务收入来源于半导体设备的销售,其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。
(2)研发模式
公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的半导体设备研发技术团队。公司的研发技术团队结构合理,分工明确,专业知识储备深厚,产线验证经验丰富,是公司自主研发能力的基石。公司根据客户需求、半导体专用设备技术动态和国家专项目标为导向,研发设计新产品、新工艺,制造研发机台,调试性能参数,在通过公司测试之后,送至客户实际生产环境中进行产业化验证,通过验证后产品正式定型。此外,公司会根据客户不同的工艺应用需求,持续丰富、完善量产产品功能。
(3)采购模式
公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购,公司面向市场供应商进行直接采购非标件主要为公司研发生产中,根据特定技术需求,自行设计的零部件。对于非标件采购,公司主要通过向供应商提供设计图纸、明确参数要求,由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制;针对特定零部件,公司存在提供图纸及参数,并向供应商提供原材料,委托供应商完成定制化加工的情形。
(4)生产模式
公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向,进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产,指公司尚未获取正式订单便开始生产,包括根据Demo订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动,适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产,指公司与客户签署正式订单后进行生产,适用于公司大部分的销售机台。
(5)销售和服务模式
报告期内,公司销售模式为直销,通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。经过多年的努力,公司已与国内半导体行业企业形成了较为稳定的合作关系。
公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报价、投标操作与管理(如适用)、销售洽谈、合同评审、销售订单(或Demo订单)签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后,需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客户在完成相关测试后,对设备进行验收,公司在客户端验收完成后确认收入。
报告期内,公司主要经营模式未发生重大变化。
二、核心技术与研发进展
1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司自成立以来,始终专注于高端半导体设备的研发,形成了一系列具有自主知识产权的核心技术,并达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中,解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题,在保证实现薄膜工艺性能的同时,提升客户产线的产能,减少客户产线的生产成本。
报告期内,公司核心技术及其先进性未发生重大变化。
2.报告期内获得的研发成果
公司始终在高端半导体专用设备领域深耕,并专注于薄膜沉积设备的研发与产业化。报告期内,公司获批承担1项国家重大专项。截至报告期末,公司已先后累计承担8项国家重大专项/课题。
公司拥有多项自主知识产权和核心技术。截至报告期末,公司累计申请专利960项(含PCT)、获得专利298项;报告期内,公司新增申请专利108项(含PCT)、新增获得专利83项。
3.研发投入情况表
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
公司重视核心技术的研发,不断开拓新产品,拓展工艺应用领域,始终保持高强度的研发投入,本期研发投入较上年同期增长78.77%,主要系研发人员薪酬及股份支付费用增加。
4.在研项目情况
5.研发人员情况
6.其他说明
二、经营情况的讨论与分析
报告期内,公司一直在高端半导体专用设备领域持续深耕,并重点聚焦薄膜沉积设备的研发和产业化应用。公司面向国内集成电路芯片制造技术发展及市场需求,充分发挥公司在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的优势,紧抓国内半导体产业高速发展的市场机遇,坚持以技术和产品创新驱动业务发展,持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入,增强产品市场竞争力,同时,持续强化公司运营管理,促进公司持续、稳健、快速的发展,在经营业绩、产品研发、市场销售等诸多方面取得了突出的进展。
1、主要经营情况
报告期内,公司产品竞争力持续增强,同时,受益于国内下游晶圆制造厂的产能提升,公司销售订单饱满,营业收入维持高增长趋势。报告期实现营业收入100,370.93万元,较上年同期增长91.83%,营业收入大幅增长;实现归属于上市公司股东的净利润12,456.60万元,较上年同期增长15.22%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润6,518.25万元,较上年同期增长32.65%,盈利能力持续增强。
2、公司产品研发及产业化进展情况
报告期内,公司继续保持较高水平的研发投入,研发投入金额达到21,008.55万元,同比增加78.77%,研发投入占比达20.93%。公司通过高强度的研发投入,保持细分领域内产品技术领先,同时,不断丰富设备产品品类,拓宽薄膜工艺应用覆盖面,在现有产品产业化应用、新产品及新工艺研发验证等方面均取得了突破性进展。
报告期内,公司设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异,平均机台稳定运行时间(Uptime)超过90%(达到国际同类设备水平)。公司薄膜系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大,截至本报告期末,公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破1.2亿片。
公司产品研发及产业化情况如下:
(1)PECVD系列产品研发及产业化进展情况
①PECVD产品
报告期内,公司PECVD设备作为主打产品,持续保持竞争优势,为客户提供高性能的介质薄膜材料,同时,提供不同类型的高产能平台(包括PF-300T、PF-300TeX、NF-300H等平台),以匹配不同客户不同工艺的性能要求及产能需求。公司在客户产线验证通过的薄膜种类及性能指标类型持续增加,工艺覆盖面不断提升,持续获得批量订单和批量验收,现已广泛应用于国内集成电路制造产线。
报告期内,在PECVD(PF-300T、PF-300TeX)产品方面,公司不断扩大通用介质薄膜材料工艺及先进介质薄膜材料工艺的应用覆盖面,并持续获得客户订单、通过客户产业化验证、扩大量产规模。截至本报告期末,PECVD通用介质薄膜材料(包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等)和先进介质薄膜材料(包括ACHM、LoKⅠ、LoKⅡ、ADCⅠ、HTN、a-Si等)均已实现产业化应用。
公司推出的PECVD(NF-300H)型号设备已实现产业化应用,可以沉积ThickTEOS等介质材料薄膜。报告期内,公司持续获得客户订单,并出货至客户端进行验证,验证进展顺利。
②UVCure产品
公司UVCure设备与PECVD设备成套使用,为PECVDHTN、LokⅡ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。报告期内,公司UVCure(HTN、LokⅡ工艺)持续获得客户订单,UVCure(LokⅡ工艺)设备实现首台产业化应用,截至本报告期末,公司UVCure(HTN、LokⅡ工艺)均已实现产业化应用。
(2)ALD系列产品研发及产业化进展情况
①PE-ALD产品
报告期内,公司PE-ALD(PF-300TAstra)设备在客户端验证进展顺利,获得了原有客户及新客户订单,并出货至不同客户进行产业化验证;PE-ALD(NF-300HAstra)设备实现首台产业化应用,取得了突破性进展,该设备主要应用于沉积较厚的PE-ALD薄膜,具有高产能和低成本的优势。此外,公司持续拓展PE-ALD薄膜种类及工艺应用。
②Thermal-ALD产品
报告期内,公司Thermal-ALD(PF-300TAltair、TS-300Altair)持续获得原有客户及新客户订单,并出货至不同客户端进行产业化验证,验证进展顺利,可以沉积Al2O3等多种金属化合物薄膜材料。此外,公司持续拓展Thermal-ALD薄膜种类及工艺应用。
(3)SACVD系列产品研发及产业化进展情况
报告期内,公司SACVD产品持续提升产品竞争力,积极拓展应用领域,持续获得客户订单及产业化验证。截至本报告期末,公司可实现SATEOS、BPSG、SAF薄膜工艺沉积的SACVD设备均通过客户验证,在国内集成电路制造产线的量产规模逐步提升。
(4)HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况
报告期内,公司HDPCVD设备已实现首台产业化应用,并持续获得客户订单,出货至不同应用领域的不同客户端进行产业化验证,可以沉积SiO2、FSG、PSG等介质材料薄膜。
(5)混合键合系列产品研发及产业化进展情况
报告期内,公司研制的晶圆对晶圆键合产品Dione300实现首台产业化应用,并获得了重复订单,取得了突破性进展;公司芯片对晶圆键合表面预处理产品Pollux已出货至客户端进行产业化验证,验证进展顺利。
3、供应链保障方面
公司持续优化供应链管理体系,建立了覆盖生产与库存管理、采购管理、物流管理等多维度的协调机制,合理规划采购体量及进度,通过提前策划、共享需求预测等方式提高供应链协同性及响应能力,以确保部件供给匹配机台生产需求。公司注重供应商关系管理,将与供应商的简单供需关系提升到协同合作、创新共赢的合作伙伴关系,持续完善供应商支持与绩效考核机制,促进供应商产品质量与产品性能的不断提升。积极推动与供应商新产品的开发、新技术的合作,进一步提高公司设备的先进性、可靠性。公司采用全球化、多货源的供应策略,保证关键部件的及时稳定供应。报告期内,公司上游供应链总体保持稳定,有效保障设备生产、及时交付。
4、市场销售情况
报告期内,公司继续聚焦中国大陆高端半导体设备市场,凭借公司在产品技术、客户资源、售后服务等方面的核心竞争优势,同时,不断优化公司产品结构,持续增强产品竞争力,进一步促进客户群体的拓展及客户结构的多元化,公司产品的市场占有率和客户认可度持续提升。
公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜系列产品持续获得客户的批量订单,量产应用规模持续扩大,产品销量同比大幅度增加。此外,公司新推出的键合系列产品验证进展顺利,并实现了产业化突破。公司继续保持与下游客户深入稳定的合作,持续提供定制化、高性能的设备产品,以及高质量的售后服务,为公司业务持续增长奠定坚实基础。
5、人才队伍建设情况
报告期内,公司结合业务发展需要,持续加强人才梯队建设,人员规模不断扩大。在人才引进方面,积极吸引行业经验丰富的管理及技术人才,并从国内高校选拔优秀的毕业生。在人才激励方面,公司充分发挥绩效考核激励和股权激励机制的作用,持续增强员工的荣誉感和凝聚力;在人才培养方面,公司建立了完善的人才储备及培养体系,公司不断探索校企合作新机制,已经与国内知名高校建立校企联合培养机制,推荐优秀工程师进行在职教育;公司积极推动产学研密切合作,同时着力培养国际化、高层次、复合型的专业人才,夯实公司产业可持续发展的人才基础。
6、营运管理方面
报告期内,公司不断提升产品生产制造水平,优化物料运营管理,有效提升装配制造及时率、合格率;公司持续强化产品质量的管理体系,并保持较高水平的售后技术支持服务,获得客户高度认可;公司EHS(环境、健康、安全)部门持续完善公司在绿色环保、员工健康、安全生产等方面的管理机制,保障公司生产的合规和安全。同时,公司持续完善信息系统技术防护和安全保密管理,加强公司网络安全、数据安全。
7、募投项目建设进展情况
①公司募投项目一“高端半导体设备扩产项目”
公司募投项目一“高端半导体设备扩产项目”是在公司原有半导体薄膜沉积设备研发和生产基地基础上进行二期洁净厂房建设。截至报告期末,二期洁净厂房已完成建设并投入使用,提高了公司薄膜沉积设备系列产品的产能。截至本报告披露日,募投项目一已结项,公司已将节余的募集资金用于永久补充流动资金。
②公司募投项目三“ALD设备研发与产业化项目”
为进一步完善产业布局,公司在上海临港新片区购置整体厂房,建设新的研发及生产基地(建筑面积为5181.68平方米),开展ALD薄膜沉积设备的研发与产业化。截至本报告期末,该项目的研发与产业化基地建设厂房改造已经完成并投入使用,开始开展ALD设备的研发和生产相关工作。
③超募资金投资建设新项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”
公司超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”是在上海临港新片区建设研发与产业化基地(土地面积为39990.20平方米),用于先进半导体薄膜沉积设备及工艺的研发,并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。截至本报告期末,公司已完成项目用地规划许可证和土地证的办理,并已经开始施工建设。
8、对外投资情况
报告期内,公司结合发展战略规划,进一步完善业务发展布局,提升公司的综合竞争力,开展了以下对外投资事项:
(1)新设全资子公司及向全资子公司增资
①设立全资子公司拓荆创益
公司已设立全资子公司拓荆创益,其注册资本为人民币50,000.00万元。拓荆创益围绕公司现有主营业务开展相关经营活动,从事高端半导体薄膜沉积设备的研发、生产、销售与技术服务。拓荆创益的设立有利于促进公司业务的聚焦发展及公司战略规划的实施。
②设立全资子公司岩泉科技
公司已设立全资子公司岩泉科技,其注册资本为人民币10,000.00万元。岩泉科技主要围绕公司主营业务开展相关的对外投资活动,面向与公司具有产业协同性、有发展潜力的相关业务实体开展业务,为公司积蓄新的增长点,提升公司的综合实力。
③向拓荆上海增资
截至报告期末,拓荆上海注册资本为人民币38,000.00万元,报告期内,公司使用非货币性资产折价合计人民币39,733.77万元(最终以实际入账金额为准)向拓荆上海增资。截至本报告披露日,尚未办理工商变更登记。
此外,报告期内,公司根据超募项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”的实施进度,使用超募资金人民币10,000.00万元向拓荆上海增资,截至本报告披露日,拓荆上海注册资本为人民币48,000万元,公司持有拓荆上海100%股权,后续公司将根据超募项目进展情况继续向拓荆上海增资。
(2)增资并参股公司
①向芯密科技增资
公司全资子公司岩泉科技以自有资金人民币2,000.00万元向芯密科技增资并获得增资后芯密科技1.5625%的股权。本次公司向芯密科技增资,与公司目前战略布局相符,与公司主营业务具有协同效应,本次增资也有利于增强公司上游供应链的稳定性。
②向无锡金源增资
公司全资子公司岩泉科技以自有资金人民币2,000.00万元向无锡金源增资并获得增资后无锡金源4.7619%的股权。本次增资符合公司战略规划,与公司主营业务具有协同效应,并能增强公司上游供应链的稳定性。
9、公司治理情况
报告期内,公司共召开3次股东大会、7次董事会会议、3次董事会审计委员会会议、2次董事会提名委员会会议、1次董事会薪酬与考核委员会会议、1次董事会战略与规划委员会会议及4次监事会会议。
公司严格依照《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》以及《公司章程》等有关法律、法规、规范性文件的要求不断完善公司的治理结构,提高经营管理决策的科学性、合理性、合规性和有效性,提升公司的治理和规范运作水平,为公司业务目标的实现奠定良好的基础。
10、公司信息披露及防范内幕交易情况
公司高度重视上市公司规范运作、信息披露管理工作和投资者关系管理工作。公司严格依照股东大会、董事会、监事会、信息披露和投资者管理等相关制度规则合规运作;公司认真履行信息披露义务,确保信息披露的及时、真实、准确和完整;通过投资者电话会议、传真、电子邮箱和投资者关系互动平台、接待投资者现场调研等多种方式与投资者进行沟通交流,建立良好的互动关系。
公司高度重视内幕交易防范,做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育,敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。
三、风险因素
(一)核心竞争力风险
随着半导体行业技术的发展和迭代,下游客户对薄膜沉积设备及性能的需求也随之变化。因此,公司需要持续保持较高的研发投入,保持产品的核心竞争力和先进水平。如果公司未来未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求,或者技术创新产品不能契合客户需求,可能对公司的经营业绩造成不利影响。
(二)经营风险
1、晶圆厂扩产不及预期的风险
下游晶圆厂产能规模决定了半导体专用设备的市场空间。晶圆厂的扩产投资具有一定的周期性。如果下游晶圆厂的投资强度持续降低,公司将面临市场需求下降的风险,对于公司的经营业绩会造成不利影响。
公司将随时关注半导体行业周期的发展阶段,根据市场情况统筹公司购、产、销各个环节,保持公司的经营活动与行业周期的协调;同时,公司将始终保证现金流合理充裕,避免行业下行期公司经营陷入困境。
2、供应链安全风险
近年来,复杂的国际形势加剧了全球供应链的不稳定性。目前,公司的部分零部件暂时仍然需要向国外供应商采购。如果国际贸易摩擦进一步加剧,可能出现上述国外供应商受相关政策影响减少或者停止对公司零部件的供应,可能会影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间,降低公司的市场竞争力。
公司与供应商积极开展更深入、更广泛的合作,采取全球化、多货源的供应策略,构建稳定的合作渠道,以加强自身供应链安全,降低国际产业链不稳定所带来的风险。
3、市场竞争风险
目前公司的竞争对手主要为国际知名半导体设备制造商,与中国大陆半导体专用设备企业相比,国际巨头企业拥有客户端先发优势,公司的综合竞争力处于弱势地位,市场占有率较低。另外,国内半导体设备厂商存在互相进入彼此业务领域,开发同类产品的可能。公司面临国际巨头以及潜在国内新进入者的双重竞争。如果公司无法有效应对市场竞争环境,则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等均会受到不利影响。
公司将持续关注国外竞争对手的发展,通过持续有效的研发投入不断缩短与国外厂商的技术代差,同时公司也密切关注国内竞争格局,不断提升产品核心竞争力;公司亦将时刻关注行业竞争态势,科学合理的设定研发方向,加快研发进度,构筑较高的行业进入壁垒;同时,公司也将与客户保持更加紧密的合作,实现与下游客户的共同成长。
(三)财务风险
1、政府补助政策变动风险
公司在报告期内收到的政府补助主要是对公司研发投入的支持。如果公司未来不能持续获得政府补助,或政府补助显著降低,公司将需要投入更多自筹资金用于研发,进而影响公司现金流。此外,政府补助的减少,也会对公司的经营业绩产生一定的不利影响。
公司将持续扩大经营业务规模,提高盈利能力,以逐渐降低对政府补助的依赖。2022年度和2023年上半年度,公司营业收入规模同比均大幅扩大,盈利水平同比亦稳步提高。
2、税收优惠风险
报告期内公司享受高新技术企业所得税及国家关于集成电路领域的相关税收优惠政策,如果国家上述税收优惠政策发生变化,则可能面临因税收优惠减少或取消而降低盈利的风险。
随着公司盈利能力不断增强,公司业绩对税收优惠政策的依赖性逐渐降低。公司将持续提高产品的竞争力,扩大市场占有率,降低税收优惠政策波动给公司业绩带来的压力。
(四)行业风险
半导体行业受半导体技术迭代、终端消费市场需求影响,呈现周期性波动。如果下游终端市场需求或发展不及预期、终端消费供需结构变化较大时,下游晶圆厂会调整其资本性支出规模和设备采购量,从而对公司经营情况产生影响。
公司将随时关注行业动态及景气度波动情况,提前预判并统筹公司的经营活动,合理控制现金流,避免行业波动造成重大不利影响。
(五)宏观环境风险
半导体设备行业易受全球经济形势波动影响,如果未来宏观经济发展乏力,将影响半导体设备的市场需求量,从而对半导体设备行业的发展带来波动风险。
全球半导体产业已形成高度垄断格局,近年来,存在部分国家在强项领域设置贸易壁垒。如果国际形势进一步恶化,贸易摩擦进一步加剧,可能会对我国半导体产业的发展带来不利影响。
公司始终严格遵守各国法律,并持续关注国际贸易形势和行业发展趋势变化,提前制定防范措施。
0
False
SH688072
拓荆科技
/stock/business/sh688072/
/stock/business/sh688072/